Name: BC847RAZ
Brand: NXP Semiconductor

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC847RAZ

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor
Бренд	NXP Semiconductor
Основные

Все характеристики

97 ₽

– +

Бонус: 1.94 !

Бонусная программа

Итого: 97 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR ARRAY, AEC-Q101, 45V, DFN1412; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:480mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:DFN1412; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor
Бренд	NXP Semiconductor
Основные
current - collector cutoff (max)	15nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	200 @ 2mA, 5V
другие названия товара №	9,3407E+11
frequency - transition	100MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
конфигурация	Dual
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
manufacturer	Nexperia USA Inc.
минимальная рабочая температура	55 C
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	300 mV
непрерывный коллекторный ток	100 mA
operating temperature	150В°C
package / case	6-XFDFN Exposed Pad
packaging	Cut Tape(CT)
партномер	8002977413
part status	Active
pd - рассеивание мощности	480 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	480mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	5000
series	-
supplier device package	DFN1412-6
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
transistor type	NPN, PNP
упаковка / блок	DFN1412-6
vce saturation (max) @ ib, ic	300mV @ 5mA, 100mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	45V
Время загрузки	1:25:45

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

NXP Semiconductor Транзисторы биполярные (BJTs)BC847RAZ