BC847RAZ, Bipolar Transistors - BJT BC847RA/SOT1268/DFN1412-6
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847RAZ
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BC847RA/SOT1268 DFN1412-6
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.0459 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia B.V. |
| Бренд | Nexperia B.V. |
| Основные | |
| current - collector cutoff (max) | 15nA(ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 100mA |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 200 @ 2mA, 5V |
| другие названия товара № | 9,3407E+11 |
| frequency - transition | 100MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 450 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| конфигурация | Dual |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| manufacturer | Nexperia USA Inc. |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| operating temperature | 150В°C |
| package / case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| packaging | Cut Tape(CT) |
| партномер | 8005273672 |
| part status | active |
| pd - рассеивание мощности | 480 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 480mW |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 5000 |
| series | - |
| supplier device package | DFN1412-6 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor type | NPN, PNP |
| упаковка / блок | DFN1412-6 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 45V |
| Время загрузки | 23:05:39 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
