BC847PNQ-7R-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-363-6
вес, г18
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль