BC847PNQ-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Вес и габариты
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):200
93
+
Бонус: 1.86 !
Бонусная программа
Итого: 93
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Вес и габариты
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):200
конфигурация:Single
квалификация:AEC-Q101
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 65 C
напряжение эмиттер-база (vebo):6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:600 mV
непрерывный коллекторный ток:100 mA
pd - рассеивание мощности:200 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):300 MHz
производитель:Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки:3000
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Diodes Incorporated
упаковка / блок:SOT-363-6
вес, г0.0075
вид монтажа:SMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль