Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Вес и габариты
категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:
450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):
200
конфигурация:
Single
квалификация:
AEC-Q101
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
минимальная рабочая температура:
- 65 C
напряжение эмиттер-база (vebo):
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):
50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:
45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
600 mV
непрерывный коллекторный ток:
100 mA
pd - рассеивание мощности:
200 mW
подкатегория:
Transistors
полярность транзистора:
NPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):
300 MHz
производитель:
Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки:
3000
технология:
Si
тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:
Diodes Incorporated
упаковка / блок:
SOT-363-6
вес, г
0.0075
вид монтажа:
SMD/SMT
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26