Name: BC847PNQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
Brand: DIODES INC.
SKU: BC847PNQ-7-F

BC847PNQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC847PNQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

Бренд: DIODES INC.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.0075
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.

Все характеристики

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.0075
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector emitter voltage max	45В
continuous collector current	100мА
dc current gain hfe min	200hFE
dc ток коллектора	100мА
dc усиление тока hfe	200hFE
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:	450
количество выводов	6вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	200
конфигурация:	Single
квалификация	AEC-Q101
квалификация:	AEC-Q101
линейка продукции	-
максимальная рабочая температура	150°C
максимальная рабочая температура:	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	- 65 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo):	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):	50 V
напряжение коллектор-эмиттер	45В
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	600 mV
непрерывный коллекторный ток:	100 mA
партномер	8004613225
pd - рассеивание мощности:	200 mW
подкатегория:	Transistors
полярность транзистора	Complementary NPN and PNP
полярность транзистора:	NPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):	300 MHz
производитель:	Diodes Incorporated
рассеиваемая мощность	200мВт
размер фабричной упаковки:	3000
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	SOT-363
технология:	Si
тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:	Diodes Incorporated
упаковка / блок:	SOT-363-6
вид монтажа:	SMD/SMT
Время загрузки	22:20:49

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Транзисторы биполярные (BJTs)BC847PNQ-7-F