BC847CW-7-F, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847CW-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC847CW-7-F, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
8
+
Бонус: 0.16 !
Бонусная программа
Итого: 8
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter breakdown voltage45V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configurationSingle
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:420 at 2 mA, 5 V
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)20
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current100mA
maximum dc collector current:100 mA
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)200
minimum dc current gain420@2mA@5V
minimum operating temperature:-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-65 to 150
package / case:SOT-323-3
packagingTape and Reel
партномер8001009205
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation200mW
pd - power dissipation:200 mW
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC847C
standard package nameSOT
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-323
supplier temperature gradeAutomotive
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typeNPN
Время загрузки22:05:42
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль