BC847CDW1T1G, Транзистор биполярный,

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847CDW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC847CDW1T1G, Транзистор биполярный,
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.38Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationDual
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min420
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
height0.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length2 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current0.1 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation380 mW
minimum dc current gain420
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSC-70-6
package typeSOT-363(SC-88)
packagingReel
партномер8020926449
pd - power dissipation380 mW
pin count6
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesBC846C
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.000988 oz
Время загрузки0:20:36
width1.25 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль