BC847CDLP-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC847CDLP-7
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота0.35 mm (Max)
Высота 0.35 м
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysБиполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN (двойной) 45 В 100 мА 100 МГц 350 мВт Поверхностный монтаж X2-DFN1310-6 (тип B)
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота0.35 mm (Max)
Высота 0.35 м
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberBC847 ->
collector emitter voltage max45В
configurationDual
continuous collector current100мА
current - collector cutoff (max)15nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain hfe min420hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce420 @ 2mA, 5V
dc ток коллектора100мА
dc усиление тока hfe420hFE
длина1.3 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition100MHz
hts8541.21.00.75
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.800
количество выводов6вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420
конфигурацияDual
квалификация-
lead shapeNo Lead
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)350
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain420@2mA@5V
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер45В
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер900 mV
number of elements per chip2
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-XFDFN Exposed Pad
package height0.35(Max)
package length01.03.2024
package width1
packagingTape and Reel
партномер8006564296
part statusActive
pcb changed6
pd - рассеивание мощности350 mW
pin count6
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max350mW
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
рассеиваемая мощность350мВт
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBC847C
standard package nameDFN
стандарты автомобильной промышленности-
стиль корпуса транзистораX2-DFN1310
supplier device packageX2-DFN1310-6 (Type B)
supplier packageDFN
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor type2 NPN (Dual)
typeNPN
упаковка / блокDFN1310H4-6
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки22:20:49
Ширина1 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль