BC847C,235, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847C,235
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC847C,235, Биполярный транзистор, NPN, 45 В ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
Корпусsot-23
base product numberBC847 ->
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc collector/base gain hfe min:420 at 2 mA, 5 V
dc current gain hfe max:420 at 2 mA, 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce420 @ 2mA, 5V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft:100 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
кол-во в упаковке10000
manufacturer:Nexperia
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current100 mA
maximum dc collector current:100 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation250 mW
minimum dc current gain420
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package / case:SOT-23-3
package typeTO-236
партномер8010549208
part # aliases:9,3359E+11
pd - power dissipation:250 mW
pin count3
power - max250mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
subcategory:Transistors
supplier device packageTO-236AB
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки14:29:14
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль