BC847BW-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Вес и габариты
base product numberBC847 ->
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage600 mV
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Вес и габариты
base product numberBC847 ->
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage600 mV
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
длина2.2 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
frequency - transition300MHz
gain bandwidth product ft300 MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)20
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current200 mA
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)200
maximum transition frequency (mhz)300(Typ)
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain200 2mA 5V
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
number of elements per chip1
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation200 mW
pd - рассеивание мощности200 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max200mW
product categoryBipolar Small Signal
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesBC847B
серияBC847B
standard package nameSOT
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-323
supplier packageSOT-323
supplier temperature gradeAutomotive
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль