BC847BW,135, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BW,135
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BC847BW,135, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBC847 ->
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
длина2.2 mm
другие названия товара №9,34022E+11
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA, 5 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
партномер8003268706
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max200mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки10000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageSOT-323
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки14:27:33
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль