BC847BTT1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BTT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC847BTT1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
43
+
Бонус: 0.86 !
Бонусная программа
Итого: 43
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationSingle
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min200
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current0.1 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation200 mW
minimum dc current gain200
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSC-75-3
package typeSOT-416(SC-75)
packagingCut Tape or Reel
партномер8006228297
pd - power dissipation200 mW
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesBC847ATT1
subcategoryTransistors
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
Время загрузки1:34:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль