BC847BT-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberBC847 ->
collector-emitter breakdown voltage45V
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
45
+
Бонус: 0.9 !
Бонусная программа
Итого: 45
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberBC847 ->
collector-emitter breakdown voltage45V
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
длина1.6 mm
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
Высота 0.75 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
maximum dc collector current100mA
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-523
pd - power dissipation150mW
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max150mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBC847B
supplier device packageSOT-523
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-523-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль