BC847BT-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BT-7-F
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.002 |
| Высота | 0.75 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| base product number | BC847 -> |
| collector-emitter breakdown voltage | 45V |
| current - collector cutoff (max) | 15nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 100mA |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 200 @ 2mA, 5V |
| длина | 1.6 mm |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 100MHz |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| maximum collector base voltage | 50 V |
| maximum collector emitter voltage | 45 V |
| maximum dc collector current | 100mA |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum operating frequency | 100 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 150 mW |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 200 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-523 |
| package type | SOT-523(SC-89) |
| партномер | 8005058134 |
| pd - power dissipation | 150mW |
| pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 150mW |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | BC847B |
| supplier device package | SOT-523 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-523-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 45V |
| Время загрузки | 22:05:24 |
| Ширина | 0.8 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
