BC847BS-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC847BS-7-F
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
76
+
Бонус: 1.52 !
Бонусная программа
Итого: 76
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysМассив биполярных (BJT) транзисторов 2 NPN (Dual) 45 В 100 мА 100 МГц 200 мВт для поверхностного монтажа SOT-363
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberBC847 ->
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage400 mV
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationDual
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft100 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current200 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation200 mW
minimum dc current gain200
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package typeSOT-363(SC-88)
packagingCut Tape or Reel
партномер8006642058
pd - power dissipation200 mW
pin count6
power - max200mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesBC847B
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-363
transistor configurationIsolated
transistor polarityNPN
transistor type2 NPN (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки22:22:01
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль