BC847BPN_R1_00001, 45V 200mW 200@2mA,5V 100mA NPN+PNP SOT363 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BPN_R1_00001
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Panjit BC847BPN_R1_00001, 45V 200mW 200@2mA,5V 100mA ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
10
+
Бонус: 0.2 !
Бонусная программа
Итого: 10
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV, 700 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Dual
continuous collector current:-100 mA, 100 mA
dc collector/base gain hfe min:200
dc current gain hfe max:450
emitter- base voltage vebo:6 V, 5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Panjit
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-363-6
партномер8003401677
pd - power dissipation:200 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DT-03TS
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN, PNP
Время загрузки23:27:52
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль