BC847BPDW1T1G, Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,1А, 0.38Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BPDW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC847BPDW1T1G, Биполярный транзистор NPN/PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
8
+
Бонус: 0.16 !
Бонусная программа
Итого: 8
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторовБиполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,1А, 0.38Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусSOT363-6
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector emitter voltage max45В
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationDual
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min150
dc current gain hfe min200hFE
dc ток коллектора100мА
dc усиление тока hfe200hFE
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
height0.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
корпус рч транзистораSOT-363
length2 mm
максимальная рабочая температура150 C
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current0.1 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation380 mW
minimum dc current gain200
minimum operating temperature-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер45В
number of elements per chip2
package / caseSC-70-6
package typeSOT-363
packagingCut Tape or Reel
партномер8892205786
pd - power dissipation380 mW
pin count6
полярность транзистораNPN, PNP
power dissipation380мВт
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
рассеиваемая мощность380мВт
rohsDetails
seriesBC847BP
стиль корпуса транзистораSOT-363
subcategoryTransistors
transistor configurationIsolated
transistor polarityNPN, PNP
transistor typeNPN/PNP
unit weight0.000988 oz
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:23:16
width1.25 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль