BC847BLT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BLT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC847BLT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT 100mA 50V NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationSingle
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min200
длина2.9 mm
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)15
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current0.1 A
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain200@2mA@5V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package height0.94
package length02.09.2024
package width01.03.2024
packagingTape and Reel
партномер8003209503
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation225 mW
pd - рассеивание мощности225 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Small Signal
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
seriesBC847BL
серияBC847BL
standard package nameSOT
subcategoryTransistors
supplier packageSOT-23
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor polarityNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:22:35
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль