BC847BLP-7, Bipolar Transistors - BJT 250mW 45V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BLP-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC847BLP-7, Bipolar Transistors - BJT 250mW 45V
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.07.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount 3-X1DFN1006
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.07.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberBC847 ->
частота перехода ft100МГц
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configurationSingle
configuration:Single
current - collector cutoff (max)15nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc collector/base gain hfe min:200
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 2mA, 5V
dc усиление тока hfe200hFE
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft:100 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификация-
lead shapeNo Lead
линейка продукцииBC847 Series
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)0.7(Typ)0.5mA 10mA|0.9(Typ)5mA 100mA
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25 0.5mA 10mA|0.6 5mA 100mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current:100 mA
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1000
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
minimum dc current gain200 2mA 5V
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case3-UFDFN
package / case:DFN1006-3
packagingTape and Reel
партномер8005058132
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation:400 mW
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation1Вт
power - max250mW
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
series:BC847B
standard package nameDFN
стиль корпуса транзистораX1-DFN1006
subcategory:Transistors
supplier device package3-X1DFN1006
supplier packageX1-DFN
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 5mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки22:22:03
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль