BC847BFZ-7B, Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BFZ-7B
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| частота перехода ft | 180МГц |
| configuration | Single |
| dc усиление тока hfe | 200hFE |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 450 |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | - |
| lead shape | No Lead |
| линейка продукции | BC847 Series |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1@0.5mA@10mA|1.1@5mA@100mA |
| maximum collector base voltage (v) | 50 |
| maximum collector cut-off current (na) | 15 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.125@5mA@10mA|0.3@5mA@100mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
| maximum dc collector current (a) | 0.1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 925 |
| maximum transition frequency (mhz) | 180(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 100@10uA@5V|200@2mA@5V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8005058130 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 925мВт |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Small Signal |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
| размер фабричной упаковки | 10000 |
| серия | BC847B |
| standard package name | DFN |
| стиль корпуса транзистора | X2-DFN0606 |
| supplier package | X2-DFN |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| type | NPN |
| упаковка / блок | DFN0606-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 22:22:05 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
