BC847BFAQ-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847BFAQ-7B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC847BFAQ-7B, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г8
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г8
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.470
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер122 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
партномер8005058129
pd - рассеивание мощности435 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)170 MHz
размер фабричной упаковки10000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX2-DFN0806-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:22:05
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль