BC847B,215, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.225Вт SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847B,215
транзисторы биполярные импортныеИнтернет-магазин предлагает биполярный транзистор BC847B. Транзисторы биполярные BC847B – трёхэлектродный полупроводниковый компонент, у которого электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью. Пластиковый корпус SOT23 для поверхностного монтажа с тремя выводами. NPN транзистор общего назначения.
Корпус
чувствительностьк влажности MSL1
collector-emitter breakdown voltage45V
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
транзисторы биполярные импортныеИнтернет-магазин предлагает биполярный транзистор BC847B. Транзисторы биполярные BC847B – трёхэлектродный полупроводниковый компонент, у которого электроды подключаются к последовательно расположенным слоям полупроводников с чередующейся примесной проводимостью. Пластиковый корпус SOT23 для поверхностного монтажа с тремя выводами. NPN транзистор общего назначения.
Корпус
чувствительностьк влажности MSL1
collector-emitter breakdown voltage45V
диапазон рабочих температур-65…+150 С
диапазон рабочих температур, ос-65…150
граничная частота коэффициента передачи тока fгр.мгц100
hfe при напряжении к-э, в5
hfe при токе коллектора, а0.002
коэффициент усиленияhfe max-200(при 2 мА, 5 В)
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:200 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):200 at 2 mA, 5 V
конфигурация:Single
максимальная рассеиваемая мощность ,вт0.33
максимально допустимый ток к ( iк макс.а)0.1
максимальный постоянный ток коллектора:100 mA
максимальный токколлектора(Iк max)-0.1 А
макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(uкбо ма50
макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(uкэо макс),в45
maximum dc collector current100mA
мощностьрассеиваемая коллектора(Pк max)-250 мВт
напряжение эмиттер-база (vebo):6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:45 V
назначениеуниверсальное
описание45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности:250 mW
полярность транзистора:NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):100 MHz
рабочая температура:- 65 C + 150 C
способ монтажаповерхностный(SMT)
статический коэффициент передачи тока hfe мин200
СтруктураNPN
transistor typeNPN
упаковкаReel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль