BC847B,215, Транзистор биполярный (NPN 45В 0,1A SOT-23)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847B.215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC847B,215, Транзистор биполярный (NPN 45В ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Производитель: Nexperia Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT RoHS: Подробности Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: SOT-23-3 Полярность транзистора: NPN Конфигурация: Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 45 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Максимальный постоянный ток коллектора: 100 mA Pd - рассеивание мощности: 250 mW Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 100 MHz Минимальная рабочая температура: - 65 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Квалификация: AEC-Q101 Упаковка: Cut Tape Упаковка: MouseReel Упаковка: Reel Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 200 at 2 mA, 5 V Высота: 1 mm Длина: 3 mm Технология: Si Ширина: 1.4 mm Торговая марка: Nexperia Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 200 at 2 mA, 5 V Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors Подкатегория: Transistors Вес изделия: 26 mg
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector-emitter breakdown voltage45V
диапазон рабочих температур, ос-65…150
hfe при напряжении к-э, в5
hfe при токе коллектора, а0.002
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:200 at 2 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):200 at 2 mA, 5 V
кол-во в упаковке3000
конфигурация:Single
максимальная рассеиваемая мощность, вт0.2
максимальный постоянный ток коллектора:100 mA
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage45 V
maximum dc collector current100mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation250 mW
minimum dc current gain200
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo):6 V
напряжение коллектор-база (vcbo):50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:45 V
number of elements per chip1
package typeSOT-23(TO-236AB)
партномер8022330708
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности:250 mW
pin count3
полярность транзистора:NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):100 MHz
рабочая температура:- 65 C + 150 C
статический коэффициент передачи тока hfe мин200
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка3000
Время загрузки1:24:02
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль