BC847AT-7-F, 45V 150mW 110@2mA,5V 100mA NPN SOT523 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847AT-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC847AT-7-F, 45V 150mW 110@2mA,5V 100mA NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
5
+
Бонус: 0.1 !
Бонусная программа
Итого: 5
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.75 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
collector-emitter breakdown voltage45V
configurationSingle
длина1.6 mm
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
maximum collector base voltage50 V
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)15
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector emitter voltage45 V
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current100mA
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation150 mW
maximum power dissipation (mw)150
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain110@2mA@5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
непрерывный коллекторный ток0.1 A
number of elements per chip1
package height0.75
package length01.06.2024
package typeSOT-523(SC-89)
package width0.8
packagingTape and Reel
партномер8003467150
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation150mW
pd - рассеивание мощности150 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияBC847A
standard package nameSOT
supplier packageSOT-523
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-523-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:05:38
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль