BC847AQBZ, Bipolar Transistors - BJT BC847AQB/SOT8015/ DFN1110D-3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC847AQBZ
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.0016 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia B.V. |
| Бренд | Nexperia B.V. |
| Основные | |
| base product number | BC847 -> |
| частота перехода ft | 100МГц |
| continuous collector current | 100мА |
| current - collector cutoff (max) | 15nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 100mA |
| dc current gain hfe min | 110hFE |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 110 @ 2mA, 5V |
| dc усиление тока hfe | 110hFE |
| другие названия товара № | 9,34661E+11 |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 100MHz |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 220 at 2 mA, 5 V |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 110 at 2mA, 5 V |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| линейка продукции | BC847xQB |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount, Wettable Flank |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 3-XDFN Exposed Pad |
| партномер | 8006229355 |
| pd - рассеивание мощности | 340 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 420мВт |
| power - max | 340mW |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 5000 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | BC847xQB -> |
| стиль корпуса транзистора | DFN1110D |
| supplier device package | DFN1110D-3 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | DFN1110D-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 45V |
| Время загрузки | 15:18:29 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
