BC846BW-G, Bipolar Transistors - BJT 80B, 100mA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC846BW-G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Comchip BC846BW-G, Bipolar Transistors - BJT 80B, 100mA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительComchip Technology
БрендComchip Technology
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительComchip Technology
БрендComchip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:600 mV
collector- emitter voltage vceo max:65 V
configuration:Single
continuous collector current:100 mA
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Comchip Technology
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-323-3
партномер8004725077
pd - power dissipation:150 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC846
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:24:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль