BC846BPDW1T1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.08
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
7
+
Бонус: 0.14 !
Бонусная программа
Итого: 7
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.08
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:600 mV, 650 mV
collector- emitter voltage vceo max:65 V
configuration:Dual
continuous collector current:0.1 A
dc collector/base gain hfe min:150
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:SC-70-6
партномер9000439702
pd - power dissipation:380 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC846BPDW1
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN, PNP
Время загрузки0:26:55
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль