BC846BM3T5G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BC846BM3T5G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.08
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT-723-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:265mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-723; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.08
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector- emitter voltage vceo max65 V
configurationSingle
continuous collector current0.1 A
dc collector/base gain hfe min150
длина1.2 mm
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity8000
gain bandwidth product ft100 MHz
height0.5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
length1.2 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current0.1 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
package / caseSOT-723-3
packagingReel
партномер8003152499
pd - power dissipation265 mW
pd - рассеивание мощности265 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки8000
rohsDetails
seriesBC846BM3
серияBC846BM3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor polarityNPN
упаковка / блокSOT-723-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:01:24
Ширина0.8 мм
width0.8 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль