- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Дата загрузки | 22.02.2024 |
Информация о производителе | |
Производитель | DIODES INC. |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
automotive | No |
частота перехода ft | 300МГц |
collector- base voltage vcbo: | 80 V |
collector-emitter saturation voltage: | 220 mV |
collector- emitter voltage vceo max: | 65 V |
configuration | Single |
configuration: | Single |
continuous collector current: | 200 mA |
dc collector/base gain hfe min: | 200 at 2 mA, 5 V |
dc current gain hfe max: | 450 at 2 mA, 5 V |
dc усиление тока hfe | 200hFE |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo: | 6 V |
eu rohs | Compliant |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 10000 |
gain bandwidth product ft: | 300 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
квалификация | - |
lead shape | No Lead |
линейка продукции | BC846 |
максимальная рабочая температура | 150°C |
manufacturer: | Diodes Incorporated |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.9@0.5mA@10mA |
maximum collector base voltage | 80 V |
maximum collector base voltage (v) | 80 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
maximum collector emitter voltage | 65 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 65 |
maximum dc collector current | 100 mA |
maximum dc collector current: | 100 mA |
maximum dc collector current (a) | 0.1 |
maximum emitter base voltage | 6 V |
maximum emitter base voltage (v) | 6 |
maximum operating frequency | 300 MHz |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature: | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 1 W |
maximum power dissipation (mw) | 1000 |
maximum transition frequency (mhz) | 300(Typ) |
minimum dc current gain | 200 |
minimum operating temperature: | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting | Surface Mount |
mounting style: | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
number of elements per chip | 1 |
package / case: | X2-DFN1006-3 |
package type | X2-DFN1006 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8005824125 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation: | 460 mW |
pin count | 3 |
полярность транзистора | NPN |
power dissipation | 460мВт |
ppap | No |
product category | Bipolar Power |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
series: | BC846 |
standard package name | DFN |
стиль корпуса транзистора | X2-DFN1006 |
subcategory: | Transistors |
supplier package | X2-DFN |
technology: | Si |
transistor configuration | Single |
transistor polarity: | NPN |
transistor type | NPN |
type | NPN |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
Время загрузки | 22:22:10 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26