BC846BLP4-7B, Diodes Inc BC846BLP4-7B NPN Transistor, 100 mA, 65 V, 3-Pin X2-DFN1006

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC846BLP4-7B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC846BLP4-7B, Diodes Inc BC846BLP4-7B NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
13
+
Бонус: 0.26 !
Бонусная программа
Итого: 13
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
частота перехода ft300МГц
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:220 mV
collector- emitter voltage vceo max:65 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current100мА
continuous collector current:200 mA
dc collector/base gain hfe min:200 at 2 mA, 5 V
dc current gain hfe max:450 at 2 mA, 5 V
dc усиление тока hfe200hFE
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификация-
lead shapeNo Lead
линейка продукцииBC846
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)0.9@0.5mA@10mA
maximum collector base voltage80 V
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
maximum collector emitter voltage65 V
maximum collector-emitter voltage (v)65
maximum dc collector current100 mA
maximum dc collector current:100 mA
maximum dc collector current (a)0.1
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating frequency300 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation1 W
maximum power dissipation (mw)1000
maximum transition frequency (mhz)300(Typ)
minimum dc current gain200
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:X2-DFN1006-3
package typeX2-DFN1006
packagingTape and Reel
партномер8017226820
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation:460 mW
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation460мВт
ppapNo
product categoryBipolar Power
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC846
standard package nameDFN
стиль корпуса транзистораX2-DFN1006
subcategory:Transistors
supplier packageX2-DFN
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typeNPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки22:06:09
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль