BC846AS-7, Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC846AS-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC846AS-7, Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:65 V
configuration:Dual
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-363-6
партномер8005058119
pd - power dissipation:200 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC846
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки22:22:13
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль