BC817RAZ, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 500 мА, 500 мВт, 40 hFE, DFN1412

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC817RAZ
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
37
+
Бонус: 0.74 !
Бонусная программа
Итого: 37
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Dual
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:160
dc current gain hfe max:400
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:5000
gain bandwidth product ft:100 MHz
manufacturer:Nexperia
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:DFN1412-6
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases:934070165147
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
series:BC817
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
вес, г0.012
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль