BC817K25E6327HTSA1, Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:BC817K25E6327HTSA1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector- base voltage vcbo:
50 V
collector-emitter saturation voltage:
700 mV
collector- emitter voltage vceo max:
45 V
configuration:
Single
continuous collector current:
500 mA
dc collector/base gain hfe min:
160 at 100 mA, 1 V
dc current gain hfe max:
400 at 100 mA, 1 V
emitter- base voltage vebo:
5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:
42000
gain bandwidth product ft:
170 MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:
Infineon
maximum dc collector current:
500 mA
maximum operating temperature:
+150 C
minimum operating temperature:
-65 C
mounting style:
SMD/SMT
package/case:
SOT-23-3
партномер
8003343596
part # aliases:
BC 817K-25 E6327 SP000271875
pd - power dissipation:
500 mW
product category:
Bipolar Transistors-BJT
product type:
BJTs-Bipolar Transistors
series:
BC817
subcategory:
Transistors
technology:
Si
transistor polarity:
NPN
Время загрузки
3:23:29
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26