BC817K-40HVL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC817K-40HVL
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.033
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
99
+
Бонус: 1.98 !
Бонусная программа
Итого: 99
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANS, NPN, 45V, 0.5A, 175DEG C, 0.425W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:425mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:250hFE; Transistor Case Style:TO-236AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:BC817KH Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.033
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
частота перехода ft100МГц
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage700 mV
collector emitter voltage max45В
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationSingle
continuous collector current500 mA
current - collector cutoff (max)100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc collector/base gain hfe min250
dc current gain hfe max600
dc current gain hfe min250hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce250 @ 100mA, 1V
dc усиление тока hfe250hFE
другие названия товара №9,3466E+11
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity10000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.600
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииBC817KH
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора500 mA
manufacturerNexperia USA Inc.
maximum dc collector current500 mA
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер700 mV
непрерывный коллекторный ток500 mA
operating temperature150В°C(TJ)
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingCut Tape(CT)
партномер8003910955
part statusActive
pd - power dissipation775 mW
pd - рассеивание мощности775 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation425мВт
power - max350mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки10000
seriesAutomotive, AEC-Q101
серияBC817
стиль корпуса транзистораTO-236AB
subcategoryTransistors
supplier device packageTO-236AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic700mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки1:24:51
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль