Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.033 |
Информация о производителе | |
Производитель | NXP Semiconductor |
Бренд | NXP Semiconductor |
Основные | |
частота перехода ft | 100МГц |
collector- base voltage vcbo | 50 V |
collector-emitter saturation voltage | 700 mV |
collector emitter voltage max | 45В |
collector- emitter voltage vceo max | 45 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 500 mA |
current - collector cutoff (max) | 100nA(ICBO) |
current - collector (ic) (max) | 500mA |
dc collector/base gain hfe min | 250 |
dc current gain hfe max | 600 |
dc current gain hfe min | 250hFE |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 250 @ 100mA, 1V |
dc усиление тока hfe | 250hFE |
другие названия товара № | 9,3466E+11 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
factory pack quantity | 10000 |
frequency - transition | 100MHz |
gain bandwidth product ft | 100 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 600 |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
конфигурация | Single |
квалификация | AEC-Q101 |
линейка продукции | BC817KH |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
manufacturer | Nexperia USA Inc. |
maximum dc collector current | 500 mA |
maximum operating temperature | +150 C |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum operating temperature | -55 C |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
operating temperature | 150В°C(TJ) |
package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
packaging | Cut Tape(CT) |
партномер | 8003910955 |
part status | Active |
pd - power dissipation | 775 mW |
pd - рассеивание мощности | 775 mW |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power dissipation | 425мВт |
power - max | 350mW |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
qualification | AEC-Q101 |
размер фабричной упаковки | 10000 |
series | Automotive, AEC-Q101 |
серия | BC817 |
стиль корпуса транзистора | TO-236AB |
subcategory | Transistors |
supplier device package | TO-236AB |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Nexperia |
transistor polarity | NPN |
transistor type | NPN |
упаковка | Reel, Cut Tape |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
vce saturation (max) @ ib, ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 45V |
Время загрузки | 1:24:51 |