| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.04 |
| Высота | 1 mm |
| Высота | 1 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| base product number | BC817 -> |
| collector- base voltage vcbo | 50 V |
| collector-emitter breakdown voltage | 45V |
| collector-emitter saturation voltage | 700 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 45 V |
| configuration | Single |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 500mA |
| dc collector/base gain hfe min | 250 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V |
| dc current gain hfe max | 250 at 100 mA at 1 V |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 250 @ 100mA, 1V |
| длина | 2.2 mm |
| другие названия товара № | 9,34022E+11 |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 10000 |
| frequency - transition | 100MHz |
| gain bandwidth product ft | 100 MHz |
| height | 1 mm |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 250 at 100 mA, 1 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| length | 2.2 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| manufacturer | Nexperia |
| maximum collector base voltage | 50 V |
| maximum collector emitter voltage | 45 V |
| maximum dc collector current | 500 mA |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 200 mW |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 250 |
| minimum operating temperature | -65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-323-3 |
| package type | SOT-323(SC-70) |
| packaging | Reel |
| партномер | 8002989985 |
| part # aliases | /T3 BC817-40W |
| pd - power dissipation | 200 mW |
| pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 200mW |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs | Details |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| серия | BC817 |
| supplier device package | SOT-323 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-323-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 45V |
| Время загрузки | 1:24:55 |
| Ширина | 1.35 мм |
| width | 1.35 mm |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
