BC817-25Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC817-25Q-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC817-25Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
79
+
Бонус: 1.58 !
Бонусная программа
Итого: 79
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveYes
base product numberBC817 ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce160 @ 100mA, 1V
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.7@50mA@500mA
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current (a)0.5
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)350
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain160@100mA@1V|100@300mA@1V
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
непрерывный коллекторный ток0.5 A
number of elements per chip1
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingTape and Reel
партномер8005058114
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности350 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max350mW
ppapYes
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
серияBC817-16Q / -25Q / -40Q
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-23
supplier packageSOT-23
supplier temperature gradeAutomotive
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic700mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки22:22:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль