BC817-16-AU_R2_000A1, Bipolar Transistors - BJT Silicon NPN General Purpose Transistors

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC817-16-AU_R2_000A1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Panjit BC817-16-AU_R2_000A1, Bipolar Transistors - ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
52
+
Бонус: 1.04 !
Бонусная программа
Итого: 52
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительPanJit Semiconductors
БрендPanJit Semiconductors
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:100
dc current gain hfe max:250
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:12000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Panjit
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8004772387
pd - power dissipation:330 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки23:27:34
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль