BC807DS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BC807DS
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR PNP 0.5A 45V SOT457; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:160hFE; Transistor Case Style:SOT-457; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-700mV; Current Ic Continuous a Max:-500mA; Gain Bandwidth ft Typ:80MHz; Hfe Min:160; Module Configuration:Dual; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Type:General Purpose; Transition Frequency ft:80MHz
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo50 V
collector- emitter voltage vceo max-45 V
configurationDual
continuous collector current-500 mA
dc collector/base gain hfe min40
dc current gain hfe max160 at 100 mA at 1 V
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft80 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length3.1 mm
manufacturerNEXPERIA
maximum dc collector current-1 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSC-74-6
packagingReel
партномер8002973440
part # aliasesBC807DS T/R
pd - power dissipation370 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
transistor polarityPNP
Время загрузки1:24:58
width1.7 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль