BC807-25-7-F, Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC807-25-7-F
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BC807-25-7-F, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector emitter voltage-45 V
maximum dc collector current-500 mA
maximum dc collector current:500 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation310 mW
minimum dc current gain160
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8005058107
pd - power dissipation:310 mW
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BC807
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки22:22:21
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль