Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 2A NPN Medium Power Transistors
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
Nexperia B.V.
Бренд
Nexperia B.V.
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
375 at 500 mA, 1 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
85 at 500 mA, 1 V
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
3 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
32 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 mV
непрерывный коллекторный ток
2 A
партномер
8005510411
pd - рассеивание мощности
1.65 W
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
170 MHz
размер фабричной упаковки
3000
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Nexperia
упаковка / блок
DFN2020D-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
1:09:57
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26