Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo
-30 V
collector-emitter saturation voltage
-250 mV
collector- emitter voltage vceo max
-30 V
configuration
Single
continuous collector current
-0.1 A
emitter- base voltage vebo
-5 V
factory pack quantity
2000
gain bandwidth product ft
150 MHz
height
5.33 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
length
5.2 mm
manufacturer
ON Semiconductor
maximum collector base voltage
-30 V
maximum collector emitter voltage
-30 V
maximum dc collector current
-0.1 A
maximum emitter base voltage
-5 V
maximum operating frequency
10 MHz
maximum operating temperature
+150 C
maximum power dissipation
500 mW
minimum dc current gain
420
minimum operating temperature
-65 C
mounting style
Through Hole
mounting type
Through Hole
number of elements per chip
1
package / case
TO-92-3 Kinked Lead
package type
TO-92
packaging
Ammo Pack
партномер
8008610432
pd - power dissipation
0.5 W
pin count
3
product category
Bipolar Transistors-BJT
rohs
Details
series
BC559
transistor configuration
Single
transistor polarity
PNP
transistor type
PNP
unit weight
0.008466 oz
Время загрузки
2:04:04
width
4.19 mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26