Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsBipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Высота
5.33 mm
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
длина
5.2 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
maximum collector base voltage
-50 V
maximum collector emitter voltage
-45 V
maximum dc collector current
-100 mA
maximum emitter base voltage
-5 V
maximum operating frequency
10 MHz
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
500 mW
минимальная рабочая температура
65 C
mounting type
Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
250 mV
непрерывный коллекторный ток
0.1 A
number of elements per chip
1
package type
TO-92
партномер
8014595346
pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
pin count
3
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
150 MHz
размер фабричной упаковки
2000
серия
BC557
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
transistor configuration
Single
transistor type
PNP
упаковка
Ammo Pack
упаковка / блок
TO-92-3 Kinked Lead
вид монтажа
Through Hole
Время загрузки
1:36:36
Ширина
4.19 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26