BC547CTFR, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC547CTFR
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 5.33 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| длина | 5.2 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA |
| maximum collector base voltage | 50 V |
| maximum collector base voltage (v) | 50 |
| maximum collector cut-off current (na) | 15 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
| maximum collector emitter voltage | 45 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
| maximum dc collector current | 100 mA |
| maximum dc collector current (a) | 0.1 |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating frequency | 1 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 500 mW |
| maximum power dissipation (mw) | 500 |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 200, 420 |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | 150 |
| package type | TO-92 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8003214132 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Small Signal |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
| размер фабричной упаковки | 2000 |
| серия | BC547 |
| standard package name | TO |
| supplier package | TO-92 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка | Reel, Cut Tape |
| упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:19:34 |
| Ширина | 4.19 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
