BC547B TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50 Vceo 800mA 625mW Trans

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC547B TIN/LEAD
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central BC547B TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:600 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:100 mA
dc collector/base gain hfe min:200
dc current gain hfe max:450
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92
packaging:Bulk
партномер8005049694
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:24:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль