BC51PASX, Package/Enclosure DFN2020D3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC51PASX
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power Transistors
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.01 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia B.V. |
| Бренд | Nexperia B.V. |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | -45 V |
| collector-emitter saturation voltage | -500 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | -45 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | -1 A |
| dc collector/base gain hfe min | 63 at-150 mA, -2 V |
| dc current gain hfe max | 250 at-150 mA, -2 V |
| emitter- base voltage vebo | -5 V |
| factory pack quantity | 3000 |
| gain bandwidth product ft | 145 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 250 at - 150 mA, - 2 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at - 150 mA, - 2 V |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| manufacturer | Nexperia |
| maximum dc collector current | -2 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 45 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| package / case | DFN-2020D-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| партномер | 8013617216 |
| pd - power dissipation | 1.65 W |
| pd - рассеивание мощности | 1.65 W |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 145 MHz |
| qualification | AEC-Q101 |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| subcategory | Transistors |
| technology | Si |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor polarity | PNP |
| упаковка / блок | DFN2020D-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 15:19:51 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
