BC108B PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Trans 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 600mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BC108B PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central BC108B PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.39
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
810
+
Бонус: 16.2 !
Бонусная программа
Итого: 810
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.39
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:600 mV
collector- emitter voltage vceo max:25 V
configuration:Single
continuous collector current:200 mA
dc collector/base gain hfe min:200
dc current gain hfe max:450
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-18
packaging:Bulk
партномер8005049678
pd - power dissipation:600 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:23:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль