Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Подробное описание

66 ₽

– +

Бонус: 1.32 !

Бонусная программа

Итого: 66 ₽

Купить

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Вес и габариты
другие названия товара №:	BC859CE6327XT SP000010637 BC859CE6327HTSA1
категория продукта:	Биполярные транзисторы-BJT
конфигурация:	Single
максимальная рабочая температура:	+150 C
максимальный постоянный ток коллектора:	0.1 A
минимальная рабочая температура:	-65 C
напряжение эмиттер-база (vebo):	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	30 v
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	650 mV
непрерывный коллекторный ток:	0.1 A
pd - рассеивание мощности:	330 mW
подкатегория:	Transistors
полярность транзистора:	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):	250 MHz
производитель:	Infineon
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	3000
серия:	BC859
технология:	Si
тип продукта:	BJTs-Bipolar Transistors
торговая марка:	Infineon Technologies
упаковка:	Reel, Cut Tape, MouseReel
упаковка / блок:	SOT-23-3
вес, г	0.01
вид монтажа:	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

BC 859C E6327