Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR

Подробное описание

94 ₽

– +

Бонус: 1.88 !

Бонусная программа

Итого: 94 ₽

Купить

Вес и габариты
другие названия товара №	BC857BWH6327XT BC857BWH6327XTSA1 SP000747448
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.25 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
pd - рассеивание мощности	330 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	250 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	BC857
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	SOT-323-3
вес, г	0.005
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

BC 857BW H6327