BC 850B E6327

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS
Вес и габариты
длина2.9 mm
другие названия товара №SP000010572 BC85BE6327XT BC850BE6327HTSA1
Высота 1 мм
99
+
Бонус: 1.98 !
Бонусная программа
Итого: 99
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS
Вес и габариты
длина2.9 mm
другие названия товара №SP000010572 BC85BE6327XT BC850BE6327HTSA1
Высота 1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
pd - рассеивание мощности330 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияBC850
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокSOT-23-3
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль